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J-GLOBAL ID：200902277015022047   整理番号：05A0538199

InAsぬれ層の成長過程での成長中断がInAs量子ドットの形成に与える効果

Effects of Growth Interruption during Growth of InAs Wetting Layer on Formation of InAs Quantum Dots

著者 (3件)： MORISHITA Yoshitaka (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  OSADA Koh (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Tomoaki (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 5A  ページ： 2925-2928  発行年： 2005年05月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs基板上に分子ビームエピタクシーで成長させたInAs量...

シソーラス用語： *量子ドット ,...
準シソーラス用語： ぬれ層

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (15件)：

• 1) D. Leonard, K. Pond and P. M. Petroff: Phys. Rev. B 50 (1994) 11687.
• 2) Y. Nabetani, T. Ishikawa, S. Noda and A. Sasaki: J. Appl. Phys. 76 (1994) 347.
• 3) R. P. Mirin, J. P. Ibbetson, K. Nishi, A. C. Gossard and J. E. Bowers: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3795.
• 4) R. Leon, C. Lobo, A. Clark, R. Bozek, A. Wysmolek, A. Kurpiewski and M. Kaminska: J. Appl. Phys. 84 (1998) 248.
• 5) D. Bimberg (Ed.): Quantum Dot Heterostuructures (Wiley, Chichester, 1999).

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  ぬれ層 ,  成長過程 ,  成長 ,  中断 ,  InAs量子ドット