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J-GLOBAL ID：200902277191247047   整理番号：05A0360683

〈パワーエレクトロニクスの基礎〉SiCパワーデバイス技術

SiC power device technology
著者 (1件)：
四戸孝

四戸孝 について

(東芝研究開発セ)

東芝研究開発セ について


資料名：
応用物理  (JSAP International)

応用物理 について


巻： 74  号： 4  ページ： 506-511  発行年： 2005年04月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
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炭化ケイ素(SiC)はSiの約10倍の絶縁破壊電界強度(E<...
シソーラス用語：
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*炭化ケイ素

炭化ケイ素 について

,...
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パワーデバイス

パワーデバイス について


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分類 (2件)：
分類
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電力変換器 
(NB08030B)

電力変換器 について

,  固体デバイス一般 
(NC03010Z)

固体デバイス一般 について

引用文献 (17件)：
  • DEBOY, G. IEDM Tech. Digest, 1998. 1998, 683
  • SAITO, W. IEEE Trans. on ED. 2004, 51, 797
  • 松波弘之編著. 半導体SiC技術と応用. 2003
  • 荒井和雄編. SiC素子の基礎と応用. 2003
  • SUGAWARA, Y. Materials Science Forum. 2004, 457-460, 963
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タイトルに関連する用語 (3件)：
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パワーエレクトロニクス

パワーエレクトロニクス について

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基礎

基礎 について

, 
SiCパワーデバイス

SiCパワーデバイス について


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