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J-GLOBAL ID：200902277223556764   整理番号：03A0799744

新しい電荷注入マッチ検出回路およびバンク選択方式を持つ1.5Vddで200MHz/200MSPS 3.2Wの9.4Mbits三値CAM

200MHz/200MSPS 3.2W at 1.5V Vdd, 9.4Mbits Ternary CAM with New Charge Injection Match Detect Circuits and Bank Selection Scheme.

著者 (4件)： KASAI G (SONY Corp., Tokyo, JPN) ,  TAKARABE Y (SONY Corp., Tokyo, JPN) ,  FURUMI K (SONY Corp., Tokyo, JPN) ,  YONEDA M (SONY Corp., Tokyo, JPN)
資料名： Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference  (Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference)
巻： 2003  ページ： 387-390  発行年： 2003年 
JST資料番号： H0843A  ISSN： 0886-5930  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CAM(コンテンツアドレッサブルメモリ,連想記憶)はインター...

シソーラス用語： *連想メモリ ,...
準シソーラス用語： コンテンツアドレッサブルメモリ ,...

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分類 (2件)： 記憶方式  (JC02040V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電荷注入 ,  マッチ ,  検出回路 ,  バンク ,  三値 ,  CAM