蒸気-液体-固体機構による成長  炭化けい素エピタクシーに対する新しい手法

FERRO G; JACQUIER C

文献

J-GLOBAL ID：200902277230452320 整理番号：04A0726060

蒸気-液体-固体機構による成長炭化けい素エピタクシーに対する新しい手法

Growth by a vapour-liquid-solid mechanism: a new approach for silicon carbide epitaxy

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=04A0726060&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0726060&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0785A") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 28 号： 8 ページ： 889-896 発行年： 2004年08月
JST資料番号： H0785A ISSN： 1144-0546 CODEN： NJCHE5 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

炭化けい素(SiC)単結晶層を低温(<1400°C)で成長させ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0726060&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0785A") }}

半導体の結晶成長 , 塩

, , , , ,

前のページに戻る

蒸気-液体-固体機構による成長 炭化けい素エピタクシーに対する新しい手法

蒸気-液体-固体機構による成長炭化けい素エピタクシーに対する新しい手法