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J-GLOBAL ID：200902277477437587   整理番号：05A0428928

イオン注入法によるSiO₂薄膜中のSiナノクリスタルの形成II-微細領域選択成長-

著者 (5件)： 中間勇二 (奈良先端科学技術大学院大) ,  桂洋介 (奈良先端科学技術大学院大) ,  太田淳 (奈良先端科学技術大学院大) ,  布下正宏 (奈良先端科学技術大学院大) ,  長町信治 (イオン工学研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 3  ページ： 1551  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： イオン注入法 ,  SiO2 ,  薄膜 ,  Si ,  ナノクリスタル ,  微細 ,  領域選択成長