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J-GLOBAL ID:200902277794551891   整理番号:08A0637826

遷移金属ドープZnO膜の強磁性とスピントロニクス応用の可能性

Ferromagnetism and possible application in spintronics of transition-metal-doped ZnO films
著者 (5件):
資料名:
巻: 62  号:ページ: 1-35  発行年: 2008年06月30日 
JST資料番号: T0341A  ISSN: 0927-796X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本解説では,最初にスピントロニクスに用いられれる典型的な希釈磁性酸化物である遷移金属(TM)ドープZnO膜の磁気特性と固有強磁性に関する最近の理解について概要を述べる。TMドープZnOの局所構造と磁気特性は作製パラメータによる強い影響を受ける。第二部では,TMドープZnOの局所構造と続いて起こる強磁性秩序に及ぼすドーピング元素と濃度,酸素分圧,基板とその方位と温度,成膜速度,ポストアニール温度,それに共ドーピングの効果について詳しく議論する。室温強磁性が構造欠陥に強く関係し,キャリア媒介交換が関与するキャリアはZnO内に生じた欠陥の副産物であることを明確に示す。第三部では,磁気トンネル接合やTMドープZnOからZnOへのスピン注入方法を与えるスピン電界効果トランジスターのようなTMドープZnOベーススピントロニクスに関する最近の進歩に焦点を当てる。このように,TMドープZnO材料はスピントロニクスに向いた有用なスピン源である。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物結晶の磁性  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  X線スペクトル一般  ,  トランジスタ 

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