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J-GLOBAL ID:200902277973787539   整理番号:09A0405610

微細孔シリコンを生成するためのFe(III),V(V),及びCe(IV)でのステインエッチング

Stain Etching with Fe(III), V(V), and Ce(IV) to Form Microporous Silicon
著者 (2件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: D22-D26  発行年: 2009年 
JST資料番号: W1290A  ISSN: 1099-0062  CODEN: ESLEF6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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(HF+V2O5)あるいは(HF+FeCl3・6H2O+HClあるいはH2SO4)の組成のステインエッチング(汚染物除去エッチング)液を用いると気泡発生がなく,多孔質体シリコンが生成される。高濃度の酸,HClあるいはH2SO4,を用いると誘導時間を大きく減少させることができた。Fe(III)溶液で長時間エッチングを行うとユニークな二重層構造が形成され,これは,>10μmの厚さに達して,赤~オレンジ及び緑の光ルミネセンス(PL)を示した。(CeF4+H2SO4)でのエッチングでは高度に均一な膜が生成した。エッチング後すぐに可視光のPLが観察されたが,(CeF4+H2SO4)でのエッチングで生成した膜は明るく強いPLになるまで数日間,空気に曝す必要があった。ステインエッチング液中での反応機構を検討し,エッチング反応と多孔度を増加させる化学反応との二つの反応が存在するとした。
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  固-液界面 
タイトルに関連する用語 (5件):
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