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J-GLOBAL ID：200902277977356036   整理番号：09A0608197

単層カーボンナノチューブの配列アレイを用いるサブミクロントランジスタの高振動数性能

High-Frequency Performance of Submicrometer Transistors That Use Aligned Arrays of Single-Walled Carbon Nanotubes

著者 (14件)： KOCABAS Coskun (Univ. Illinois, Illinois) ,  DUNHAM Simon (Univ. Illinois, Illinois) ,  CAO Qing (Univ. Illinois, Illinois) ,  CIMINO Kurt (Univ. Illinois, Illinois) ,  HO Xinning (Univ. Illinois, Illinois) ,  KIM Hoon-Sik (Univ. Illinois, Illinois) ,  DAWSON Dale (Northrop Grumman Electronics Systems, Maryland) ,  PAYNE Joseph (Northrop Grumman Electronics Systems, Maryland) ,  STUENKEL Mark (Univ. Illinois, Illinois) ,  ZHANG Hong (Northrop Grumman Electronics Systems, Maryland) ,  BANKS Tony (Univ. Illinois, Illinois) ,  FENG Milton (Univ. Illinois, Illinois) ,  ROTKIN Slava V. (Lehigh Univ., Pennsylvania) ,  ROGERS John A. (Univ. Illinois, Illinois)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 9  号： 5  ページ： 1937-1943  発行年： 2009年05月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数百の配向ナノチューブの配列アレイからの高速ナノチューブトランジスタを作製し,RF領域の散乱パラメータの評定によりそれらの性能を評価した。結果の解釈には,RF応答の小信号モデリング及びDC及びRF域の性質のスケーリング解析を用いた。本研究で扱ったデバイスに対して,寄生効果からの重要な寄与を含むゲートキャパシタンスはRF挙動(特にf_t及びf_max)に主要な寄与をすることが示された。半導体性及び金属性ナノチューブによるキャパシタンス,並びにデバイス電極間のフリンジング場への相対寄与も評定した。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *アレイ ,  *トランジスタ ,  *漂遊容量 ,  通信信号
準シソーラス用語： RF信号 ,  *ナノチューブトランジスタ ,  *寄生キャパシタンス

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単層カーボンナノチューブ ,  アレイ ,  振動数