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J-GLOBAL ID：200902278000569526   整理番号：09A0546420

90nm CMOS技術による0.7Vで動作する高利得77GHz電力増幅器

A High Gain 77GHz Power Amplifier Operating at 0.7V Based on 90nm CMOS Technology

著者 (4件)： HAMADA Yasuhiro (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  TANOMURA Masahiro (NEC Corp., Otsu, JPN) ,  ITO Masaharu (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  MARUHASHI Kenichi (NEC Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 19  号： 5  ページ： 329-331  発行年： 2009年05月 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSプロセスによる77GHz電力増幅器(PA)は最近報告があったばかりでさらに高性能化が望まれる。0.7Vの低電圧で長期信頼性を確保した高利得17.4dBの77GHz 90nm CMOSのPAを製作した。HCI(hot-carrier injection)問題を避けるため供給電圧を1V以下とし,3ステージnMOSFETでPAを構成した。W帯CMOS PAとしては今までで最高の利得である。広い温度範囲で実用的に応用が可能である。

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  半導体プロセス ,  *CMOS構造 ,  MOSFET ,  マイクロ波集積回路 ,  利得
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  ミリ波集積回路

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (3件)： CMOS技術 ,  高利得 ,  電力増幅器