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J-GLOBAL ID：200902278213716344   整理番号：05A0214862

SrBi₂Ta₂O₉薄膜の電気的性質に対するシリコン添加の効果

Effect of Silicon Addition on Electrical Properties of SrBi₂Ta₂O₉ Thin Films

著者 (3件)： TAMURA S (High-Technol. Res. Center, Osaka, JPN) ,  OMURA Y (High-Technol. Res. Center, Osaka, JPN) ,  NAKAHARA S (High-Technol. Res. Center, Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 11B  ページ： 7871-7875  発行年： 2004年11月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属分解(MOD)によりPt/Ti/SiO<sub>2<...

シソーラス用語： タンタル酸塩 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (8件)：

• 1) J. L. Moll and Y. Tarui: IEEE Trans. Electron Devices ED-10 (1963) 338.
• 2) S.-Y. Wu: IEEE Trans. Electron Devices ED-21 (1974) 499.
• 3) M. Okuyama, T. Ueda and Y. Hamakawa: Jpn. J. Appl. Phys. 24 (1985) Suppl. 24-2, Pt. 1, p. 619.
• 4) S. Matsubara, S. Miura, Y. Miyasaka and N. Shohata: J. Appl. Phys. 66 (1989) 5826.
• 5) T. Hirai, K. Teramoto, T. Nishi, T. Goto and Y. Tarui: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 5219.

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  電気的性質 ,  シリコン