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J-GLOBAL ID：200902278231954244   整理番号：04A0487767

超臨界歪シリコンMOSFETにおける不適応転位漏洩

INVESTIGATION OF MISFIT DISLOCATION LEAKAGE IN SUPERCRITICAL STRAINED SILICON MOSFETS

著者 (9件)： FIORENZA J G (AmberWave Systems Corp., NH) ,  BRAITHWAITE G (AmberWave Systems Corp., NH) ,  LEITZ C (AmberWave Systems Corp., NH) ,  CURRIE M T (AmberWave Systems Corp., NH) ,  CHENG Z Y (AmberWave Systems Corp., NH) ,  YANG V K (AmberWave Systems Corp., NH) ,  LANGDO T (AmberWave Systems Corp., NH) ,  CARLIN J (AmberWave Systems Corp., NH) ,  SOMERVILLE M (Franklin W. Olin Coll. Engineering, MA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 42nd  ページ： 493-497  発行年： 2004年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超臨界厚さの歪Si膜上に形成された歪SiNMOSFETのオフ...

シソーラス用語： *歪場 ,...
準シソーラス用語： 超臨界厚さ

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 臨界歪 ,  シリコン ,  MOSFET ,  転位 ,  漏洩