文献

J-GLOBAL ID：200902278395020358   整理番号：09A0064006

In_1-xAl_xNのバンドギャップ湾曲パラメータ

Band gap bowing parameter of In_1-xAl_xN

著者 (8件)： JONES R. E. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  BROESLER R. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  YU K. M. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  AGER J. W. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  HALLER E. E. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  WALUKIEWICZ W. (Materials Sciences Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  CHEN X. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  SCHAFF W. J. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 12  ページ： 123501  発行年： 2008年12月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_1-xAl_xNに関するバンドギャップ湾曲パラメータをx=0.017~0.06の高品質,均一試料の研究から4.7eVと報告する。Burstein-Mossシフト,非放物線的伝導帯,吸収端の広がり等のInリッチInAlNのバンド構造の複雑さを考慮するために,光吸収データをモデリングしてバンドギャップを得た。合金組成はRutherford後方散乱分光法を用いて正確に決定し,試料品質はX線回折とチャネリングRBSを用いて評価した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *バンドギャップ ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  固溶体 ,  *光吸収スペクトル ,  モデリング ,  Rutherford後方散乱 ,  チャネリング ,  *窒化物 ,  半導体薄膜

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： バンドギャップ ,  湾曲 ,  パラメータ