文献

J-GLOBAL ID：200902278442111375   整理番号：08A1149057

Si上でのInAsナノワイア成長方向の制御

Control of InAs Nanowire Growth Directions on Si

著者 (4件)： TOMIOKA Katsuhiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MOTOHISA Junichi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HARA Shinjiroh (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 8  号： 10  ページ： 3475-3480  発行年： 2008年10月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)表面を改質し,流量変調モードによる面積選択性金属有機気相エピタキシー法(SA-MOVPE)を使ってSi基板上に垂直InAsナノワイア・アレーを低温で制御成長させた。断面積TEM,Raman観察し,局所歪みのある格子ミスフィット転位が界面に存在することを示した。これらの予備的データに基づいて最適成長条件を論じた。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  ファセット ,  *ヒ化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  *MOMBE ,  流量 ,  表面積 ,  垂直 ,  配列 ,  断面積 ,  電子顕微鏡観察 ,  Ramanスペクトル ,  格子歪 ,  *不整合転位

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  InAs ,  ナノワイア ,  成長方向