文献

J-GLOBAL ID：200902278679165984   整理番号：03A0655380

GaAs加工基板上へのMBE選択成長法によるGaAs/AlGaAsリッジ細線の形成メカニズム

著者 (4件)： 佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  玉井功 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  吉田崇一 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  長谷川英機 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 64th  号： 1  ページ： 265  発行年： 2003年08月30日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： ナノ細線

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0655380&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  MBE ,  選択成長 ,  AlGaAs ,  リッジ ,  細線 ,  メカニズム