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J-GLOBAL ID：200902278840681815   整理番号：09A0723398

EuO薄膜に関するイットリア安定化立方ジルコニア(001)上でのMBE蒸着を用いたエピタキシャルおよび層毎成長

Epitaxial and layer-by-layer growth of EuO thin films on yttria-stabilized cubic zirconia (001) using MBE distillation

著者 (14件)： SUTARTO R. (Univ. zu Koeln, Koeln, DEU) ,  ALTENDORF S. G. (Univ. zu Koeln, Koeln, DEU) ,  COLORU B. (Univ. zu Koeln, Koeln, DEU) ,  SALA M. Moretti (Univ. zu Koeln, Koeln, DEU) ,  HAUPRICHT T. (Univ. zu Koeln, Koeln, DEU) ,  CHANG C. F. (Univ. zu Koeln, Koeln, DEU) ,  HU Z. (Univ. zu Koeln, Koeln, DEU) ,  SCHUESSLER-LANGEHEINE C. (Univ. zu Koeln, Koeln, DEU) ,  HOLLMANN N. (Univ. zu Koeln, Koeln, DEU) ,  KIERSPEL H. (Univ. zu Koeln, Koeln, DEU) ,  HSIEH H. H. (National Defense Univ., Taoyuan, TWN) ,  LIN H.-J. (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  CHEN C. T. (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  TJENG L. H. (Univ. zu Koeln, Koeln, DEU)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 79  号： 20  ページ： 205318.1-205318.9  発行年： 2009年05月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強磁性半導体EuOの高品質薄膜の成長に関する研究の一環として,本研究では,イットリア安定化立方ジルコニア(YSZ)(001)基板上でのMBE蒸着を行った。その結果に基づいて,1)この方法により,高度に化学量論組成のEuO薄膜の成長に成功したこと,2)Eu-O蒸着率の微調整により,層毎成長にも成功したこと,3)成長初期段階は,YSZ基板からの制限された酸素供給を含むが,その場合でもEuO化学量論組成は維持できたこと,などを記した。

シソーラス用語： 磁性薄膜 ,  半導体薄膜 ,  *酸化ユウロピウム ,  *MBE成長 ,  基板 ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  立方晶系 ,  RHEED ,  低速電子回折 ,  X線光電子スペクトル ,  原子層エピタクシー
準シソーラス用語： RHEED振動 ,  イットリア安定化ジルコニア

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 薄膜 ,  イットリア ,  安定化 ,  ジルコニア ,  MBE ,  蒸着 ,  エピタキシャル ,  層毎成長