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J-GLOBAL ID：200902279026755502   整理番号：08A0996318

RF反応性スパッタリングで作製した窒素ドープ酸化タングステン薄膜のエレクトロクロミズムと電子構造

Electrochromism and Electronic Structures of Nitrogen Doped Tungsten Oxide Thin Films Prepared by RF Reactive Sputtering

著者 (5件)： NAKAGAWA Koichi (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  MIURA Noboru (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  MATSUMOTO Setsuko (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  NAKANO Ryotaro (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  MATSUMOTO Hironaga (Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 9 Issue 1  ページ： 7230-7235  発行年： 2008年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質三酸化タングステン(a-WO₃)薄膜に及ぼす窒素ドーピング効果をエレクトロクロミズムと電子構造に関連して調べた。Nドープ薄膜は透明な黄色から黒へエレクトロクロミックに着色したが,非ドープ薄膜は青色に着色した。また,窒素ドーピングに関係した新しい吸収ピークを電気化学的着色/漂白過程時の光吸収スペクトルの2.3eVに観測した。これらの実験結果を説明するために,Nドープ酸化タングステンの電子構造をDV-Xα分子軌道法により計算した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 反応性スパッタリング ,  窒素 ,  ドーピング ,  *酸化タングステン ,  *エレクトロクロミズム ,  *電子構造 ,  光吸収スペクトル ,  分子軌道法

分類 (1件)： 電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

引用文献 (36件)：

• S. K. Deb: Appl. Opt. Suppl.3(1969)192.
• S. K. Deb: Philos. Mag.27(1973)801.
• A. I. Gavlyryuk, B. P. Zakharchenya, and F. A. Chudonovskii: Sov. Tech. Phys. Lett.6(1980)601.
• M. Akiyama, J. Tamaki, N. Miura, and N. Yamazoe: Chem. Lett.20(1991)1611.
• H. Wang, P. Xu, and T. Wang: Mater. Des.23(2002)331.

タイトルに関連する用語 (8件)： RF ,  反応性スパッタリング ,  作製 ,  窒素ドープ ,  酸化タングステン ,  薄膜 ,  エレクトロクロミズム ,  電子構造