薄膜バルク音波共振器デバイスの特性に及ぼすAlN膜厚と最上部電極材料の影響

文献

J-GLOBAL ID：200902279166282990 整理番号：05A0341002

Effect of AlN Film Thickness and Top Electrode Materials on Characteristics of Thin-Film Bulk Acoustic-Wave Resonator Devices

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巻： 44 号： 3 ページ： 1397-1402 発行年： 2005年03月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

高c軸配向窒化アルミニウム(AlN)薄膜を反応性RFマグネト...

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共振器

引用文献 (14件)：

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