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J-GLOBAL ID：200902279381108330   整理番号：08A0919148

r-面サファイア上のSnO₂(101)のプラズマ支援分子ビームエピタクシー及びキャラクタリゼーション

Plasma-assisted molecular beam epitaxy and characterization of SnO₂ (101) on r-plane sapphire

著者 (4件)： WHITE M. E. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050) ,  TSAI M. Y. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-9560) ,  WU F. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050) ,  SPECK J. S. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 26  号： 5  ページ： 1300  発行年： 2008年09月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援分子ビームエピタクシーが,高品質酸化スズ,SnO₂,を作製する可能性のある実際的な方法であることを示した。厚さ1μmの相純粋エピタクシャル単結晶SnO₂(101)薄膜を,r-面サファイアAl₂O₃(101-2)基板上に再現性良く成長させた。SnO₂エピタクシーはVolmer-Weber成長モードで進行した。比較的低い膜モザイクを示す,SnO₂(101)ピークに関する0.22°の最小軸上ωスキャン半値全幅を測定した。[010]_SnO2∥[1-21-0]_sapphire及び[1-01]_SnO2∥[1-011]_sappireのエピタクシャル関係を膜と基板との間で決定した。[0001]_sappireに対する[010]_SnO2の周りの1.3°のSnO₂膜傾斜を測定した。8×10⁹cm^-2の転位密度を測定した。Hall効果測定は,対応する電子移動度範囲20~100cm²/Vsをもつ,範囲(0.3~3.0)×10¹⁷cm^-3で異なる試料に関する意図しないドープ電子濃度を定量化した。SnO₂成長挙動は,二つの明確な成長領域のひとつにあると決定した。Oリッチ領域は,Snフラックスの増大に関する膜成長速度の直線的増大により特徴付けられた;しかるに,全体的にSnリッチ領域で成長させた膜は,Snフラックスの増大による成長速度の減少を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化スズ ,  単結晶 ,  *薄膜成長 ,  *サファイア ,  基板 ,  MBE成長 ,  プラズマ応用 ,  Hall効果 ,  *移動度 ,  成長速度
準シソーラス用語： *電子濃度

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア ,  プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  キャラクタリゼーション