レジオレギュラーポリ(3-ヘキシルチオフェン)電界効果トランジスタからの増大した移動度

WANG G; SWENSEN J; MOSES D; HEEGER A J

文献

J-GLOBAL ID：200902279743004490 整理番号：03A0394482

レジオレギュラーポリ(3-ヘキシルチオフェン)電界効果トランジスタからの増大した移動度

Increased mobility from regioregular poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors

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資料名：
巻： 93 号： 10,Pt.1 ページ： 6137-6141 発行年： 2003年05月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

RR-P3HTと略記される標題の半導体性重合体薄膜を用いた有...

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金属-絶縁体-半導体構造 , 有機化合物の薄膜

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