文献

J-GLOBAL ID：200902279942275257   整理番号：05A0076495

電界放出デバイスのための微細構造化シリコン表面

Microstructured silicon surfaces for field emission devices

著者 (2件)： SOTGIU G (Univ. ROMA TRE, Rome, ITA) ,  SCHIRONE L (Univ. Roma La Sapienza, Rome, ITA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 240  号： 1/4  ページ： 424-431  発行年： 2005年02月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界放出エミッタについては多数の材料が試みられているが,既存...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 陰極

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分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電界放出 ,  微細構造 ,  シリコン