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J-GLOBAL ID：200902279949370026   整理番号：08A0495245

半導体デバイス識別のRTS雑音のための新しい方法

A New Method for RTS Noise of Semiconductor Devices Identification

著者 (3件)： KONCZAKOWSKA Alicja (Gdansk Univ. Technol., Gdansk, POL) ,  CICHOSZ Jacek (Gdansk Univ. Technol., Gdansk, POL) ,  SZEWCZYK Arkadiusz (Gdansk Univ. Technol., Gdansk, POL)
資料名： IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement  (IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement)
巻： 57  号： 6  ページ： 1199-1206  発行年： 2008年06月 
JST資料番号： C0232A  ISSN： 0018-9456  CODEN： IEIMAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ランダム電信信号(RTS)雑音は,大きさの等しい無作為離散的インパルスを持った電流または電圧の変動である。RTS雑音は,二つのレベルまたは多重インパルスとして観測される。雑音散乱パターン法(NSP)により,RTS雑音を発生する半導体デバイスの選択が可能である。ここでは,NSP法に基づく雑音測定システムのアンチ-エイリアシング-フィルタとA/Dコンバータから成るブロック図を提供し,またNSP法のパターン例を示した。その識別の手順は短時間で済み,また決定に要する時間は,データ収集に必要な時間に比して,僅かに長いだけである。

シソーラス用語： *エイリアシング ,  *AD変換器 ,  電信方程式 ,  *半導体素子 ,  雑音測定 ,  *インパルス雑音 ,  散乱
準シソーラス用語： *ランダム電信信号雑音 ,  雑音散乱パターン法

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  雑音一般  (ND04010J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体デバイス ,  識別 ,  雑音