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J-GLOBAL ID：200902280013725483   整理番号：08A0235534

4H-SiC PIN陥凹窓アバランシェフォトダイオード

4H-SiC PIN Recessed Window Avalanche Photodiode

著者 (6件)： LIU Han-Din (Univ. Virginia, VA) ,  MCINTOSH Dion (Univ. Virginia, VA) ,  BAI Xiaogang (Univ. Virginia, VA) ,  PAN Huapu (Univ. Virginia, VA) ,  LIU Mingguo (Univ. Virginia, VA) ,  CAMPBELL Joe C. (Univ. Virginia, VA)
資料名： Conference Proceedings. IEEE LEOS Annual Meeting (IEEE Lasers and Electro-Optics Society)  (Conference Proceedings. IEEE LEOS Annual Meeting (IEEE Lasers and Electro-Optics Society))
巻： 20th Vol.2  ページ： 517-518  発行年： 2007年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCの最大の問題の一つはその間接禁止帯で,これ故に吸収係数が小さく量子効率が低い。本研究では直径250μmの4H-SiC PIN陥凹窓アバランシェフォトダイオード(APD)の量子効率を>60%に向上させた。APDの構造とその電流電圧特性を図示した。波長262nmにおけるAPDのピーク応答性は135.5mA/W(外部量子効率≒64%)であった。その他のAPD特定も示した。

シソーラス用語： *アバランシェフォトダイオード ,  *PINダイオード ,  量子効率 ,  電流電圧特性 ,  キャラクタリゼーション ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： *4H-SiC

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  陥凹 ,  窓 ,  アバランシェフォトダイオード