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J-GLOBAL ID：200902280214080774   整理番号：06A0330687

オリゴチオフェン誘導体のナノスケール薄膜の形態と電場効果トランジスタ挙動

Nanoscale thin-film morphologies and field-effect transistor behavior of oligothiophene derivatives

著者 (10件)： LIM Eunhee (Dep. of Chemistry, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), 373-1 Guseong-dong, Yuseong-ku, Daejeon ...) ,  JUNG Byung-jun (Dep. of Chemistry, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), 373-1 Guseong-dong, Yuseong-ku, Daejeon ...) ,  SHIM Hong-ku (Dep. of Chemistry, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. (KAIST), 373-1 Guseong-dong, Yuseong-ku, Daejeon ...) ,  TAGUCHI Tomohiro (Dep. of Organic and Polymeric Materials, Tokyo Inst. of Technol. (TIT), Tokyo 152-8552, JPN) ,  NODA Bunpei (Dep. of Organic and Polymeric Materials, Tokyo Inst. of Technol. (TIT), Tokyo 152-8552, JPN) ,  KAMBAYASHI Takuya (Dep. of Organic and Polymeric Materials, Tokyo Inst. of Technol. (TIT), Tokyo 152-8552, JPN) ,  MORI Takehiko (Dep. of Organic and Polymeric Materials, Tokyo Inst. of Technol. (TIT), Tokyo 152-8552, JPN) ,  ISHIKAWA Ken (Dep. of Organic and Polymeric Materials, Tokyo Inst. of Technol. (TIT), Tokyo 152-8552, JPN) ,  TAKEZOE Hideo (Dep. of Organic and Polymeric Materials, Tokyo Inst. of Technol. (TIT), Tokyo 152-8552, JPN) ,  DO Lee-mi (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon 305-350, KOR)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 7  号： 3  ページ： 121-131  発行年： 2006年06月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2つのチオフェン系半導体材料(T2TT」とT2FL)の電場効...

シソーラス用語： ポリチオフェン ,...
準シソーラス用語： *OFET

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (2件)： 2,5-ビス(5′-ヘキシル-2,2′-ビチオフェン-5-イル)チエノ[3,2-b]チオフェン ,  2,7-ビス(5′-ヘキシル-2,2′-ビチオフェン-5-イル)-9H-フルオレン

タイトルに関連する用語 (7件)： オリゴチオフェン ,  誘導体 ,  ナノスケール ,  薄膜 ,  形態 ,  電場効果トランジスタ ,  挙動