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J-GLOBAL ID：200902280245396168   整理番号：09A0927281

MPCVD法によって成長したn-タイプSi上の窒素ドープしたナノ結晶ダイヤモンド膜からの低温の熱イオン放射

Low-temperature thermionic emission from nitrogen-doped nanocrystalline diamond films on n-type Si grown by MPCVD

著者 (4件)： SUZUKI Mariko (Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212-8582, JPN) ,  ONO Tomio (Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212-8582, JPN) ,  SAKUMA Naoshi (Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212-8582, JPN) ,  SAKAI Tadashi (Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212-8582, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 18  号： 10  ページ： 1274-1277  発行年： 2009年10月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波プラズマ支援化学蒸着(MP-CVD)によりn-タイプSi基板上に成長した窒素(N)ドープナノ結晶ダイヤモンド(NCD)膜について,温度依存性の放出電流-電圧測定を行った。低いしきい値温度(約260°C)と低いしきい値電場(約5×10^-5V/μm)が観察された。温度依存性と電場依存性の両方が,得られた放出電流がNドープNCD膜からの電子熱イオン放射に基づくことを示した。また,窒素濃度と飽和放出電流との関係も研究した。窒素濃度が2.4×10²⁰cm^-3であったときに,得られた飽和電流は670°Cで5.6×10^-3V/μmで1.4mAと高かった。Richardson-Dushman方程式に良く適合することによって,有効仕事関数の低い値(1.99eV)とRichardson定数の比較的高い値(約70)が見積もられた。比較的小さいφと大きなA’の結果は,NドープNCDが高効率の熱イオン放出材料としての可能性を持つことを示す。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  薄膜 ,  ドーパント ,  窒素 ,  プラズマCVD ,  ナノ結晶 ,  *熱電子放出 ,  電圧依存性 ,  電流密度

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (9件)： MPCVD ,  成長 ,  タイプ ,  Si ,  窒素ドープ ,  ナノ結晶ダイヤモンド膜 ,  低温 ,  熱イオン ,  放射