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J-GLOBAL ID：200902280297082013   整理番号：08A0478971

rfスパッタリングによるLaNiO₃バッファ層上のBaTiO₃膜のミクロ構造と強誘電性

Microstructure and ferroelectric properties of BaTiO₃ films on LaNiO₃ buffer layers by rf sputtering

著者 (2件)： QIAO Liang (School of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Xueyuan Road, 37#, Hai Dian ...) ,  BI Xiaofang (School of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Xueyuan Road, 37#, Hai Dian ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 310  号： 11  ページ： 2780-2784  発行年： 2008年05月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： rfスパッタリング法でLaNiO₃とBaTiO₃膜を堆積した。LaNiO₃はSi基板に堆積し,(100)高配向構造と粒サイズが30nmのナノ結晶特性を観測した。BaTiO₃薄膜をLaNiO₃バッファ層に堆積して,厚さ400nmでは(100)組織を示した。走査型電子顕微鏡による断面観察から,LaNiO₃底部電極とBaTiO₃膜との間に平滑な界面が得られた。この複層膜は,粒サイズが60nmの稠密な柱状ミクロ構造を示した。残留分極と保電場は,それぞれ2.1μC/cm²と45kV/cmであった。漏れ電流を測定して,良好な絶縁性を確認した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *強誘電性 ,  *チタン酸バリウム ,  *スパッタ蒸着 ,  RFスパッタリング ,  ペロブスカイト型結晶 ,  強誘電体 ,  X線回折 ,  静電容量 ,  誘電率 ,  電圧
準シソーラス用語： BaTiO₃ ,  バイアス電圧 ,  強誘電

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： RFスパッタリング ,  LaNiO3 ,  バッファ層 ,  BaTiO3 ,  ミクロ構造 ,  強誘電性