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J-GLOBAL ID：200902280787429020   整理番号：09A0097705

金属センターの段階的添加により組織化した高導電性~40nm長分子ワイヤー

Highly conductive ~40-nm-long molecular wires assembled by stepwise incorporation of metal centres

著者 (7件)： TUCCITTO Nunzio (Universita degli Studi di Catania, Catania, ITA) ,  FERRI Violetta (Universita di Ferrara, Ferrara, ITA) ,  CAVAZZINI Marco (Istituto di Scienze e Tecnologie Molecolari, CNR, Milano, ITA) ,  QUICI Silvio (Istituto di Scienze e Tecnologie Molecolari, CNR, Milano, ITA) ,  ZHAVNERKO Genady (Universita degli Studi di Catania, Catania, ITA) ,  LICCIARDELLO Antonino (Universita degli Studi di Catania, Catania, ITA) ,  RAMPI Maria Anita (Universita di Ferrara, Ferrara, ITA)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 8  号： 1  ページ： 41-46  発行年： 2009年01月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子エレクトロニクスの開発がおこなわれており,電極間の導電性の向上が重要な問題となっている。本研究では,高分子骨格に多数の金属センターを埋め込むことによって,高導電性を有する約40nm長さの高分子ワイヤーの作製を可能にした。Au基板上に,TPTおよびMPTPバックボーンにFe(II)およびCo(II)を配位させたワイヤー(MCMW)を成長し,組織化した。TOF-SIMSの測定から,[C₅₇H₃₈N₉SFe]⁺および[C₅₇H₃₈N₉SCo]⁺分子ピークが観測された。また,水銀を対極として電気特性を評価し,高い導電性が得られることを確認すると共に,Au-MCMW/Hg接合のエネルギーダイアグラムについて考察した。

シソーラス用語： *高分子 ,  線 ,  *導電性 ,  金属 ,  電子技術 ,  埋込み【挿入】 ,  *基板 ,  *金 ,  *窒素複素環化合物 ,  鉄錯体 ,  コバルト錯体 ,  結晶成長 ,  *金属錯体 ,  接合 ,  エネルギー
準シソーラス用語： エレクトロニクス ,  ダイアグラム ,  ピリジン誘導体 ,  *ワイヤ

分類 (4件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の結晶成長  (BK13070E) ,  鉄の錯体  (CE01091H) ,  コバルトとニッケルの錯体  (CE01092Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： センター ,  段階 ,  組織化 ,  高導電性 ,  分子ワイヤー