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J-GLOBAL ID：200902281529619490   整理番号：09A0404699

Cell Broad Engineの65nmSOIから45nmSOIへの移行

Migration of Cell Broadband Engine from 65nm SOI to 45nm SOI

著者 (25件)： TAKAHASHI O. (IBM, TX) ,  ADAMS C. (IBM, MN) ,  AULT D. (IBM, TX) ,  BEHNEN E. (IBM, TX) ,  CHIANG O. (IBM, TX) ,  COTTIER S. R. (IBM, TX) ,  COULMAN P. (IBM, TX) ,  CULP J. (IBM, NY) ,  GERVAIS G. (IBM, TX) ,  GRAY M. S. (IBM, VT) ,  ITAKA Y. (Toshiba America Electronic Components, TX) ,  JOHNSON C. J. (IBM, MN) ,  KONO F. (Toshiba America Electronic Components, TX) ,  MAURICE L. (IBM, TX) ,  MCCULLEN K. W. (IBM, VT) ,  NGUYEN L. (IBM, TX) ,  NISHINO Y. (Sony Computer Entertainment of America, TX) ,  NORO H. (Toshiba America Electronic Components, TX) ,  PILLE J. (IBM, Boeblingen, DEU) ,  RILEY M. (IBM, TX) ,  SHEN M. (IBM, TX) ,  TAKANO C. (Sony Computer Entertainment of America, TX) ,  TOKITO S. (Sony Computer Entertainment of America, TX) ,  WAGNER T. (IBM, NY) ,  YOSHIHARA H. (Sony Computer Entertainment of America, TX)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2008 Vol.1  ページ： 86-87  発行年： 2008年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自動移行設計,30%の電力と面積の削減,製造容易化設計(DFM))改善を標記の移行の目標とした。低誘電率(κ=2.4)45nmツインウェルCMOS技術は,電圧1.0Vと1.5Vの2重ゲート酸化膜厚さを使用する。設計ルールは比較的互換性があるので,大部分の回路の自動移行を行い,その後,タイミング,雑音許容度および設計のロバスト性の微調整をマニュアルで行った。SRAMセルサイズは,0.7mm↑2↑から,0.404mm↑2↑に縮小したので,プロセス変動に関するセル安定化を行った。この移行の結果,サイクルごとのマシン動作は保存され,チップサイズは34%,消費電力はほぼ40%減少した。

シソーラス用語： *SOI構造 ,  設計 ,  *回路設計 ,  消費電力 ,  誘電率 ,  電子技術 ,  酸化膜 ,  互換性 ,  雑音
準シソーラス用語： *CMOS技術 ,  DFM ,  *ゲート酸化膜 ,  *自動移行設計 ,  設計ルール

分類 (3件)： 汎用演算制御装置  (JC04020N) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (1件)： 移行