記憶を持つ回路素子:メムリスタ,メムキャパシタ,およびメムインダクタ

DI VENTRA Massimiliano; PERSHIN Yuriy V.; CHUA Leon O.

文献

J-GLOBAL ID：200902281538512320 整理番号：09A1062174

記憶を持つ回路素子:メムリスタ,メムキャパシタ,およびメムインダクタ

Circuit Elements With Memory: Memristors, Memcapacitors, and Meminductors

出版者サイト複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=09A1062174&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0378A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 97 号： 10 ページ： 1717-1724 発行年： 2009年10月
JST資料番号： D0378A ISSN： 0018-9219 CODEN： IEEPAD 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

系の状態および履歴に依存して電気抵抗が変化するメムリスタの概念を一般化して,キャパシタおよびインダクタに拡張した。これらの素子はそれぞれ2個の構成要素:メムリスタでは電流-電圧,メムキャパシタでは電荷-電圧,そしてメムインダクタでは電流-磁束,である変数上で,絞られた形のヒステリシスループを示す。ナノスケールの世界では,電子およびイオンの短時間の動的性質は系の履歴に依存しているようにみえ,このような概念の回路素子が普通にあることを議論する。回路上のこれらの素子は,学習,適応および自発性をシミュレートする神経形態学的デバイスに応用を見出せそうである。

, , , , , , ,
, ,

LCR部品

, ,

前のページに戻る