文献

J-GLOBAL ID：200902281604153434   整理番号：08A0230893

ふっ化ビニリデン/トリフルオロエチレン共重合体薄膜の強誘電スイッチングのパルス列測定

Pulse train measurement of ferroelectric switching in thin films of vinylidene fluoride/trifluoroethylene copolymer

著者 (3件)： NAKAJIMA T. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  TAKAHASHI Y. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  FURUKAWA T. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 91  号： 1  ページ： 33-39  発行年： 2008年04月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モル量75%のふっ化ビニリデン(VDF)を含むVDF/トリフルオロエチレン(TrFE)共重合体を炭酸ジエチル溶液からAu堆積ガラス基板上にスピンコートした。Au対向電極を真空蒸着した後,結晶性を増すために試料を140°Cで60分間アニールした。この試料の強誘電スイッチング過程をパルス列測定して調べた。分極反転はパルス幅が通常のスイッチング時間より小さくなると遅れるようになったが,パルス幅が0.2μsに減少しても最終的には完結した。各オン-オフサイクル時の電荷応答を可逆的誘電寄与部分と非可逆的強誘電スイッチング寄与部分に分離できた。誘電寄与とは関係のない固有の極性変化は核形成及び成長に対応する二つのステップを示した。核形成から成長への遷移はΔP=5mC/m²で起こった。スイッチング電流を核形成及び成長に対応するパワー及び対数正規関数の和により再現できた。これらの結果を強誘電VDF/TrFEのチェーン分子構造に関連させて議論した。

シソーラス用語： 共重合体 ,  *高分子薄膜 ,  *強誘電体 ,  スピンコーティング ,  *MIM構造 ,  分極反転 ,  スイッチング ,  ヒステリシス ,  *残留分極 ,  脂肪族フッ素化合物 ,  オレフィン化合物 ,  *フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体
準シソーラス用語： *VDF-TrFE

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (2件)： トリフルオロエチレン ,  フッ化ビニリデン

タイトルに関連する用語 (6件)： ふっ化ビニリデン ,  トリフルオロエチレン ,  共重合体 ,  薄膜 ,  強誘電スイッチング ,  パルス列