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J-GLOBAL ID：200902281617245451   整理番号：07A1216152

非対称タンクキャパシタを用いた断熱可逆論理の安定性及びそのSRAMへの応用

The stability of adiabatic reversible logic using asymmetric tank capacitors and its application to SRAM

著者 (1件)： NAKATA Shunji (NTT Microsystem Integration Laboratories)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 2  号： 20  ページ： 512-518 (J-STAGE)  発行年： 2005年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 断熱段階的チャージ可逆論理の安定性を検討した。対称タンクキャ...

シソーラス用語： *SRAM ,...
準シソーラス用語： キャパシタ

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (9件)：

• [1] S. Nakata, “Observation of Coulomb-blockade oscillations by the back gate with subattofarad mutual capacitance, ” Phys. Rev. B, vol. 47, pp. 1679-1682, 1993.
• [2] Y. Takahashi, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, M. Nagase, and K. Murase, “Size dependence of the characteristics of Si single-electron transistors on SIMOX substrates, ” IEEE Trans. Electron Devices, ED-43, pp. 1213-1217, 1996.
• [3] M. Akazawa, “Adiabatic switching by quasistatic operation of single-electron-tunneling devices, ” IEICE Trans. Electron., vol. J86-C, no. 7, pp. 718-725, 2003 [in Japanese].
• [4] T. Oya, A. Schmid, T. Asai, Y. Leblebici, and Y. Amemiya, “On the fault tolerance of a clustered single-electron neural network for differential enhancement, ” IEICE Electron. Express, vol. 2, no. 3, pp. 76-80, 2005.
• [5] E. Morifuji, T. Yoshida, H. Tsuno, Y. Kikuchi, S. Matsuda, S. Yamada, T. Noguchi, and M. Kakumu, “New guideline of Vdd and Vth scaling for 65nm technology and beyond, ” Proc. Symp. VLSI Tech. Dig., pp. 164-165, 2004.

タイトルに関連する用語 (7件)： 非対称 ,  タンク ,  キャパシタ ,  断熱可逆論理 ,  安定性 ,  SRAM ,  応用