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J-GLOBAL ID：200902281772131284   整理番号：09A1246085

1/2.3インチ1.55μm pixel 12M画素インターライントランスファー型CCDの開発

High-saturation output 1.55-μm-square pixel IT-CCD with metal wiring line structure

著者 (14件)： 武田健 (ソニーセミコンダクタ九州) ,  北野良昭 (ソニーセミコンダクタ九州) ,  宮澤信二 (ソニー) ,  山根淳二 (ソニーセミコンダクタ九州) ,  鈴木啓太 (ソニー) ,  引地邦彦 (ソニーセミコンダクタ九州) ,  田井香織 (ソニーセミコンダクタ九州) ,  原園紘太郎 (ソニーセミコンダクタ九州) ,  沼口将吾 (ソニーLSIデザイン) ,  内田好則 (ソニー) ,  木村匡雄 (ソニーLSIデザイン) ,  佐藤充 (ソニーセミコンダクタ九州) ,  神戸秀夫 (ソニー) ,  國分勝則 (ソニーセミコンダクタ九州)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 33  号： 38(IST2009 46-52)  ページ： 25-28  発行年： 2009年09月28日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： C-DSC(Compact Digital Still Camera)向けの1.55μm pixel 1/2.31 inch 12M画素のインターライントランスファー型のCCDの開発を行った。このCCDは,高い感度と飽和出力を兼ね備えていることを特徴とする。本報告では,このうち高い飽和出力を得るために採用している技術について報告をする。(著者抄録)

シソーラス用語： *電荷結合素子 ,  高感度 ,  出力 ,  配線 ,  タングステン ,  時間依存性 ,  電圧依存性 ,  計算機シミュレーション ,  遅れ ,  輝度 ,  耐性 ,  ブルーミング
準シソーラス用語： CCD ,  *インターライントランスファー型CCD ,  タングステン配線 ,  高輝度耐性 ,  伝搬遅延 ,  飽和出力

分類 (1件)： 電荷移送デバイス  (NC03130E)

引用文献 (5件)：

• KITANO, Y. A 1.75-μm-square pixel IT-CCD having a gate oxide insulator composed of a single-layer electrode structure. IEEE 2007 INTERNATIONAL I MAGE SENSOR WORKSHOP. 2007, 9-12
• KARASAWA, N. A 2.20-μm-square pixel IT-CCD constructed from a single-layer electrode. IEEE Workshop on CCD and Advanced, Image Sensor, 2005. 2005, 210-213
• KANG, H. K. Highly Manufacturable Process Technology for Reliable 256 Mbit and 1 Gbit DRAMs. IEDM, 1994. 1994, 635-641
• YONEMOTO, K. A 2 million pixel FIT-CCD image sensor for HDTV camera system. IEEE ISSCC, 1990. 1990, XXXIII, 214-215
• MORI, M. A 2 M Pixel HDTV Image Sensor with Tungsten Photo-Shield and H-CCD Shun Wiring. ISSCC, 1992. 1992, XXXIII, 172-173

タイトルに関連する用語 (4件)： インチ ,  画素 ,  CCD ,  開発