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文献
J-GLOBAL ID:200902282184096193   整理番号:04A0692874

Al誘起結晶化法による薄膜多結晶Siの低温形成と構造評価

著者 (7件):
資料名:
巻: 65th  号:ページ: 728  発行年: 2004年09月01日 
JST資料番号: Y0055A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長  ,  半導体薄膜 

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