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J-GLOBAL ID：200902282199556654   整理番号：08A0611163

2次元電子ガスを含むGaAs/AlxGa1-xAs量子井戸におけるバンドギャップ近傍遷移におよぼす価電子サブバンド分散の効果

Effect of valence subband dispersion on near-band-gap transitions in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells containing a two-dimensional electron gas
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著者 (5件)：
GABBAY A.

GABBAY A. について

(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)

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, 
PREEZANT Yulia

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(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)

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COHEN E.

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(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)

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ASHKINADZE B. M.

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(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)

Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR について

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PFEIFFER L. N.

PFEIFFER L. N. について

(Bell Lab., New Jersey, USA)

Bell Lab., New Jersey, USA について


資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 77  号： 16  ページ： 165329.1-165329.8  発行年： 2008年04月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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量子井戸系におけるバンド間遷移を観測して,遷移に関係するエネルギーとバンド形状を解析した。初めに,2次元電子ガスポテンシャルを含めて,最低伝導帯サブバンドと最上部価電子帯サブバンドの分散を計算した。次に,電子-重正孔帯間,と電子-軽正孔帯間スペクトル域のバンド間遷移に対するエネルギー依存的光学感受率関数を求めた。最後に分散曲線を使い,k∥保存バンド間遷移を仮定して,光ルミネセンススペクトル形状を計算した。さらに得られた結果を用いて,観測したスペクトルと模型とのフィッティングを行った。
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ヒ化ガリウムアルミニウム

ヒ化ガリウムアルミニウム について

, 
ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム について

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化合物半導体

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ヘテロ接合

ヘテロ接合 について

, 
*量子井戸

量子井戸 について

, 
バンドギャップ

バンドギャップ について

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価電子バンド

価電子バンド について

, 
バンド構造

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*電子遷移

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, 
二次元電子ガス

二次元電子ガス について

, 
伝導バンド

伝導バンド について

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*光ルミネセンス

光ルミネセンス について

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光反射

光反射 について

, 
赤外スペクトル

赤外スペクトル について


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*バンド間遷移

バンド間遷移 について


分類 (2件)：
分類
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半導体結晶の電子構造 
(BM02060N)

半導体結晶の電子構造 について

,  半導体のルミネセンス 
(BM08092S)

半導体のルミネセンス について

タイトルに関連する用語 (9件)：
タイトルに関連する用語
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2次元電子ガス

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GaAs

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量子井戸

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バンドギャップ

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近傍

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遷移

遷移 について

, 
価電子

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, 
サブ

サブ について

, 
バンド分散

バンド分散 について


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