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J-GLOBAL ID：200902282654970375   整理番号：09A0480993

マルチチャネル構造を持つGaN系自然超接合ダイオード

GaN-based Natural Super Junction Diodes with Multi-channel Structures

著者 (8件)： ISHIDA Hidetoshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  SHIBATA Daisuke (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  MATSUO Hisayoshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  YANAGIHARA Manabu (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UEMOTO Yasuhiro (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UEDA Tetsuzo (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  TANAKA Tsuyoshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UEDA Daisuke (Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2008 Vol.1  ページ： 145-148  発行年： 2008年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体素子のブレークダウン電圧は,半導体中の不純物濃度に依存している。より高いブレークダウン電圧を得るためには,炭化ケイ素のような広いバンドギャップ半導体が適している。最近,高いブレークダウン電圧を持つGaN系素子が次世代高出力スイッチング素子として開発された。本稿では,「自然超接合」と呼ぶ多層薄膜pn接合チャネルのGaN系接合について,その新しいブレークダウンメカニズムを提案し,このモデルをシミュレーションにより検証した。その結果,このダイオードは高ブレークダウン電圧(9800V)を維持したまま,低オン抵抗(176mΩcm²)を達成できることが分かった。

シソーラス用語： *絶縁破壊 ,  窒化ガリウム ,  *半導体接合 ,  スイッチング素子 ,  バンドギャップ ,  PN接合 ,  計算機シミュレーション ,  オン抵抗 ,  *接合ダイオード ,  多層構造 ,  チャネル
準シソーラス用語： GaN ,  *ブレークダウン電圧 ,  マルチチャネル ,  ワイドバンドギャップ ,  *超接合

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： マルチ ,  GaN ,  接合ダイオード