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J-GLOBAL ID：200902282721093430   整理番号：09A0814469

グラフェントランジスタにおける接触の役割:走査光電流の研究

Role of contacts in graphene transistors: A scanning photocurrent study

著者 (5件)： MUELLER T. (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  XIA F. (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  FREITAG M. (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  TSANG J. (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA) ,  AVOURIS Ph. (IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 79  号： 24  ページ： 245430.1-245430.6  発行年： 2009年06月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近の実験的研究は金属接触によって引き起こされた電荷非均質性は以前に考えていたよりグラフェントランジスタの電気移動に関してより強いインパクトをもつ証拠を提示した。グラフェントランジスタにおける接触の役割のより良い理解を得るために,走査プローブ技術を使用する機能的装置の局所的特性分析が明らかに必要である。走査光電流(PC)顕微鏡がカーボンナノチューブトランジスタやグラフェンのポテンシャルプロファイルを研究するための有用なツールであることが示された。しかしながら,古典的光学顕微鏡の解像度は光学波長の約1/2までに回折によって制限されるので,より小さなスケールでのポテンシャルプロファイルが望まれていた。この論文では,筆者らは近接場走査光学顕微鏡(NSOM)を使用してグラフェントランジスタ中で局所的に生じたPCを研究した。筆者らは金属接触がグラフェンチャンネルの電子構造に強いインパクトを与えること,そしてこの改良が接触から百ナノメートル拡張することを示した。筆者らはn型伝導領域においてp-n-p構造がTi/Pd接触電極下のグラフェン中に固定されるフェルミ準位によるグラフェンチャンネルに沿って形成される。p型伝導領域におけるp-n接合の存在がn型領域に関して過剰な抵抗を生じ,電子とホールに対して非対称な伝導挙動を生じる。単層グラフェンと多層グラフェンの間の界面の研究はポテンシャル勾配が界面を横切って生じることを示した。ここで使用された近接場PC分光法はグラフェンをベースとした電子装置と光電子装置の研究のための強力なツールを提供する。

シソーラス用語： *光電流 ,  走査光学顕微鏡 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  *カーボンナノチューブ ,  PN接合 ,  *グラファイト ,  *トランジスタ ,  *Ohm接触 ,  *半導体 ,  *グラフェン ,  近接場光学顕微鏡
準シソーラス用語： カーボンナノチューブトランジスタ ,  グラフェントランジスタ ,  近接場走査光学顕微鏡

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェントランジスタ ,  役割 ,  走査 ,  光電流 ,  研究