KURIYAMA K. について
Coll. of Engineering and Res. Center of Ion Beam Technol., Hosei Univ., 3-7-2 Kajinocho, Koganei, Tokyo 184-8584, JPN について
MIZUKI Y. について
Coll. of Engineering and Res. Center of Ion Beam Technol., Hosei Univ., 3-7-2 Kajinocho, Koganei, Tokyo 184-8584, JPN について
SANO H. について
Coll. of Engineering and Res. Center of Ion Beam Technol., Hosei Univ., 3-7-2 Kajinocho, Koganei, Tokyo 184-8584, JPN について
ONOUE A. について
Coll. of Engineering and Res. Center of Ion Beam Technol., Hosei Univ., 3-7-2 Kajinocho, Koganei, Tokyo 184-8584, JPN について
HASEGAWA M. について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について
SAKAMOTO I. について
National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN について
Solid State Communications について
窒化ガリウム について
半導体のルミネセンス について
半導体の格子欠陥 について
炭素 について
ドープ について
GaN について
核反応分析 について
黄色 について
ルミネセンス について
起源 について
格子 について