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J-GLOBAL ID：200902282932624220   整理番号：09A0830117

MEMS共振器をベースとする高集積1.8GHz周波数シンセサイザ

A Highly Integrated 1.8GHz Frequency Synthesizer Based on a MEMS Resonator

著者 (5件)： NABKI Frederic (McGill Univ., QC, CAN) ,  ALLIDINA Karim (McGill Univ., QC, CAN) ,  AHMAD Faisal (McGill Univ., QC, CAN) ,  CICEK Paul-Vahe (McGill Univ., QC, CAN) ,  EL-GAMAL Mourad N. (McGill Univ., QC, CAN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 44  号： 8  ページ： 2154-2168  発行年： 2009年08月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,多くの研究グループは半導体チップの外部部品に代わるMEMSベース素子の開発に注力している。これに対し本研究ではMEMS共振器をベースとする高集積1.8GHz周波数シンセサイザを開発した。MEMS共振器は炭化けい素(SiC)複合材を使用し,8.29MHzと11.59MHzにおけるQ値はそれぞれ1040と700である。このMEMS共振器を使用したシンセサイザは0.18μm・CMOS技術で実装され,出力周波数範囲1650~1980MHzを持ち,600kHzと3MHzにおける位相雑音はそれぞれ-122dBc/Hzと-137dBc/Hzである。また2Vの電源電圧における消費電力は39mWである。

シソーラス用語： *MEMS ,  *共振器 ,  *周波数シンセサイザ ,  サブミクロン加工 ,  CMOS構造 ,  位相雑音 ,  炭化ケイ素 ,  Q値 ,  MOS構造
準シソーラス用語： 大規模集積

分類 (3件)： 特殊加工  (QC04000Y) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  発振回路  (NC05020Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： MEMS共振器 ,  集積 ,  周波数シンセサイザ