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J-GLOBAL ID：200902283023214206   整理番号：09A1278596

10kV SiC MOSFETを用いた昇圧コンバータ

10-kV SiC MOSFET-Based Boost Converter

著者 (8件)： WANG Jun (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  ZHOU Xiaohu (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  LI Jun (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  ZHAO Tiefu (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  HUANG Alex Q. (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  CALLANAN Robert (Cree Inc., NC, USA) ,  HUSNA Fatima (Cree Inc., NC, USA) ,  AGARWAL Anant (Cree Inc., NC, USA)
資料名： IEEE Transactions on Industry Applications  (IEEE Transactions on Industry Applications)
巻： 45  号： 6  ページ： 2056-2063  発行年： 2009年11月 
JST資料番号： A0338B  ISSN： 0093-9994  CODEN： ITIACR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧高周波パワーエレクトロニクスシステムへの適用が期待されている10kV SiC MOSFET素子をDC/DC昇圧コンバータに適用した場合の高周波性能や高温特性について論じた。本MOSFETおよびジャンクションバリアショットキー(JBS)ダイオードの特性とそのSPICEモデルを示した後,10kV 10A MOSFETと10kV 5A JBSダイオードを用いたDC/DC昇圧コンバータを製作し,25kHzまでの連続運転特性を調べた結果を報告した。コンバータはMOSFETジャンクション温度174°Cで4kV-4kWの能力を持つ。SiC MOSFETを高周波大電力コンバータに適用した場合の優位性が明らかとなった。

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  *DC-DCコンバータ ,  パワーエレクトロニクス ,  周波数特性 ,  電気特性 ,  温度依存性 ,  性能試験 ,  電気試験 ,  HF【周波数】 ,  接合ダイオード ,  Schottky障壁ダイオード
準シソーラス用語： 高温特性 ,  連続運転

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  MOSFET ,  昇圧コンバータ