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J-GLOBAL ID：200902283029950222   整理番号：04A0269705

モリブデンをドープした移動度の高いスパッタによる酸化インジウム薄膜

High-mobility, sputtered films of indium oxide doped with molybdenum

著者 (4件)： YOSHIDA Y (Colorado School of Mines, Colorado) ,  WOOD D M (Colorado School of Mines, Colorado) ,  GESSERT T A (National Renewable Energy Lab., Colorado) ,  COUTTS T J (National Renewable Energy Lab., Colorado)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 84  号： 12  ページ： 2097-2099  発行年： 2004年03月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の透明伝導性酸化膜(TCO)に比べて,電気的及び光学的特...

シソーラス用語： *酸化インジウム ,...
準シソーラス用語： 伝導帯

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： モリブデン ,  ドープ ,  移動度 ,  スパッタ ,  酸化インジウム ,  薄膜