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J-GLOBAL ID：200902283162358263   整理番号：04A0342920

NBD法によるStrained-Si-On-Nothing(SSON)構造のひずみの評価

著者 (7件)： 臼田宏治 (ASET) ,  沼田敏典 (ASET) ,  手塚勉 (ASET) ,  杉山直治 (ASET) ,  守山佳彦 (ASET) ,  中払周 (ASET) ,  高木信一 (産業技術総合研 次世代半導体研セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 51st  号： 1  ページ： 415  発行年： 2004年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： ナノビーム

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： NBD ,  Si ,  ひずみ ,  評価