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J-GLOBAL ID：200902283314572550   整理番号：09A0123387

多層構造デバイス用の回転ボックス型多元対向ターゲットスパッタリング装置の開発

Development of Rotating Box Type Multi-Facing Target Sputtering System for a Multi-layered Structure Device

著者 (1件)： MOROHASHI Shinichi (Yamaguchi Univ., Ube, JPN)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 33  号： 4  ページ： 861-864  発行年： 2008年12月 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超伝導トンネル接合(STJ)は,X線および粒子の高感度検知器として広く用いられている。この接合は,ターゲットに対して反対側に位置する基板について通常のDCマグネトロンスパッタリングを用いて作製される。このスパッタリング法を用いたSTJデバイスの作製では,マグネトロンスパッタリング法のイオンおよびγ電子衝撃によって,STJデバイス界面が熱的および物理的損傷を受ける可能性がある。高感度X線および粒子検知器の使用においては,サブギャップ漏れ電流を理論的限界まで減らす必要があるのみならず,X線検出器の操作に必要な準粒子の生産-捕集効率も改良する必要がある。本研究では,高品質,高性能STJデバイスを作製するために,新規な回転ボックス型多元対向スパッタリング装置を開発した。その特徴は,a)多元対向ターゲット使用による高プラズマ密度,b)低温蒸着(基板温度:SiO₂膜蒸着の場合40°C未満),c)カソード体積の減少およびランニングコストの大幅な低下を有する多元ターゲットスパッタリングの使用によるコンパクト化および省エネルギーである。

シソーラス用語： *スパッタリング装置 ,  *ターゲット ,  *多層構造 ,  *超伝導接合 ,  *トンネル接合 ,  検出器 ,  マグネトロンスパッタリング ,  イオン ,  電子衝突 ,  損傷 ,  漏れ電流 ,  準粒子 ,  微粒子 ,  捕獲 ,  *プラズマ密度 ,  *低温 ,  蒸着 ,  コンパクト性 ,  *省エネルギー ,  セラミック膜 ,  酸化ケイ素 ,  薄膜成長 ,  蒸着膜 ,  放射線検出器 ,  X線検出器
準シソーラス用語： デバイス ,  検知器 ,  電子衝撃 ,  捕集効率

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  その他の超伝導応用装置  (BM04044V)

引用文献 (11件)：

• N. E. Booth and D. J. Goldie, Supercond. Sci. Technol., 9(1996) 493.
• M. Gurvich, M. A. Washington and H. A. Huggins, Appl. Phys. Lett., 42(1983) 472.
• S. Morohashi, F. Shinoki, A. Shoji, M. Aoyagi and H. Hayakawa, Appl. Phys. Lett., 46(1985) 1179.
• S. Morohashi and S. Hasuo, J. Appl. Phys., 61(1987) 4835.
• M. Naoe, Y. Hoshi, S. Yamanaka and M. Kume, J. J. Appl. Lett., 22(1983) 1519.

タイトルに関連する用語 (5件)： 多層構造 ,  ボックス ,  ターゲット ,  スパッタリング装置 ,  開発