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J-GLOBAL ID：200902283381796900   整理番号：08A0511432

Si/SiGeヘテロ界面に存在するミスフィット転位の微細構造と偏析

著者 (4件)： 井誠一郎 (崇城大 工) ,  池田賢一 (九大 大学院総合理工学研究院) ,  中島英治 (九大 大学院総合理工学研究院) ,  中島寛 (九大 産学連携セ)
資料名： 日本金属学会講演概要  (Collected Abstracts of the Meeting of the Japan Institute Metals)
巻： 142nd  ページ： 91  発行年： 2008年03月26日 
JST資料番号： S0988A  ISSN： 1342-5730  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,  ケイ素化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  *界面 ,  *不整合転位 ,  *偏析 ,  微細構造 ,  積層欠陥

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  SiGe ,  ヘテロ界面 ,  ミスフィット転位 ,  微細構造 ,  偏析