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J-GLOBAL ID：200902283434497934   整理番号：05A0543053

低速引き上げCZシリコン結晶中の成長微細欠陥の平面波シンクロトロンX線トポグラフィー観察

Plane-wave synchrotron x-ray topography observation of grown-in microdefects in a slowly pulled CZ-silicon crystal

著者 (8件)： IIDA S (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  KAWADO S (Rigaku Corp., Tokyo, JPN) ,  MAEHAMA T (Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN) ,  KAJIWARA K (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN) ,  KIMURA S (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN) ,  MATSUI J (Center for Advanced Sci. & Technol., Hyogo, JPN) ,  SUZUKI Y (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu-shi, JPN) ,  CHIKAURA Y (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu-shi, JPN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 38  号： 10A  ページ： A23-A27  発行年： 2005年05月21日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥周辺の詳細な歪分布を求めるために,SPリング8で平面波X...

シソーラス用語： *Czochralski法 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (10件)： 低速 ,  引き上げ ,  シリコン結晶 ,  成長 ,  微細 ,  欠陥 ,  平面波 ,  シンクロトロン ,  X線トポグラフィー ,  観察