ハイパワーIGBTモジュール

NISHIMURA Takashi; TAKAMIYA Yoshikazu; NAKAJIMA Osamu

文献

J-GLOBAL ID：200902284450787256 整理番号：09A0657942

ハイパワーIGBTモジュール

High-power IGBT Modules

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=09A0657942&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=09A0657942&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0167A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 55 号： 2 ページ： 51-55 発行年： 2009年05月20日
JST資料番号： S0167A ISSN： 0429-8284 CODEN： FUERB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

成長する新エネルギーの分野での応用を目指して,富士電機は,U4チップ(Uシリーズチップの改版)を用いた1200Vおよび1700VのハイパワーIGBTモジュールを新たに開発したが,その特性は,熱特性を増強し,著しく環境耐久性を改善した。ここでは,ハイパワーIGBTモジュールの概略を述べ,その技術開発について論じた。1-in-1パッケージは1200~3600Aの電流容量をもち,2-in-1パッケージは600~1200Aの電流容量をもち,モジュールの定格電圧は全14モデルに対して,1200または1700Vである。モジュールの電気的特性として,代表モデルの最大定格と特性,V-I特性,スイッチング特性を示した。パッケージ技術として,熱抵抗を減らすためにDCB(direct copper bonding)基板に窒化アルミニウムを用いた。また,モールドパッケージの絶縁を低下させる炭化トラックの形成に抵抗性のある,CTI(比較トラッキング指数)の高い樹脂を選択した。

, , , , , , , ,

トランジスタ , 電力変換器

, ,

前のページに戻る