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J-GLOBAL ID：200902284550647435   整理番号：09A0330554

スピントロニクス素子に対する巨大垂直磁気異方性を有するエピタキシャルMn_2.5Ga薄膜

Epitaxial Mn_2.5Ga thin films with giant perpendicular magnetic anisotropy for spintronic devices

著者 (7件)： WU Feng (WPI Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, 980-8577 Sendai, JPN) ,  MIZUKAMI Shigemi (WPI Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, 980-8577 Sendai, JPN) ,  WATANABE Daisuke (WPI Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, 980-8577 Sendai, JPN) ,  NAGANUMA Hiroshi (Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., 6-6-05 Aoba-yama, 980-8579 Sendai, JPN) ,  OOGANE Mikihiko (Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., 6-6-05 Aoba-yama, 980-8579 Sendai, JPN) ,  ANDO Yasuo (Dep. of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku Univ., 6-6-05 Aoba-yama, 980-8579 Sendai, JPN) ,  MIYAZAKI Terunobu (WPI Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, 980-8577 Sendai, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 12  ページ： 122503  発行年： 2009年03月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリングでCr/MgO単結晶基板上に堆積させたMn_2.5Ga薄膜について,エピタキシャル成長と磁気特性を報告した。X線回折結果は,エピタキシャル関係Mn_2.5Ga(001)[100]∥Cr(001)[110]∥MgO(001)[100]を明らかにした。超格子ピーク(002)および(011)の存在は,これら薄膜がDO₂₂型規則構造に結晶化することを示した。垂直磁気異方性(PMA)特性は,DO₂₂化学規則化と関連があることが分かった。最大化学規則度パラメータ(S=0.8)を有する薄膜に対して,巨大PMA(K_u^eff=1.2×10⁷erg/cm³)および低飽和磁化(M_s=250emu/cm³)を得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 金属間化合物 ,  *マンガン合金 ,  ガリウム含有合金 ,  *磁性薄膜 ,  *強磁性 ,  エピタクシー ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  基板 ,  クロム ,  酸化マグネシウム ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  超格子 ,  *垂直磁気異方性 ,  飽和磁化 ,  磁気ヒステリシス ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： DO22型金属間化合物

分類 (2件)： 金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： スピントロニクス素子 ,  垂直磁気異方性 ,  エピタキシャル ,  薄膜