遠隔プラズマMOCVDによる多結晶GaNの成長と構造へのMgドーピングの効果

文献

J-GLOBAL ID：200902284670519643 整理番号：05A0084164

Effects of Mg doping on growth and structures of polycrystalline GaN by remote plasma MOCVD

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=05A0084164&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0084164&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 274 号： 1/2 ページ： 1-5 発行年： 2005年01月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

二重遠隔プラズマ(DRP)MOCVDによって成長した多結晶G...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0084164&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

半導体薄膜

, , , , , ,

前のページに戻る