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J-GLOBAL ID：200902284846026037   整理番号：09A0531432

第一原理からの窒化物のAuger再結合速度

Auger recombination rates in nitrides from first principles

著者 (3件)： DELANEY Kris T. (Materials Res. Lab., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5121, USA) ,  RINKE Patrick (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA) ,  VAN DE WALLE Chris G. (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 19  ページ： 191109  発行年： 2009年05月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理密度汎関数法と多体摂動論から計算したウルツ鉱型InGaNのAuger再結合速度を報告した。発光スペクトルの異なる部分に影響する二種類の機構(バンド間及びバンド内再結合)を調べた。青~緑領域の室温におけるAuger係数は2×10^-30cm⁶s^-1と大きく,赤外領域ではさらに大きかった。Auger再結合は自由キャリア濃度の三乗にスケールするので,高電流密度で重要な非放射損失機構になる。本結果はAuger再結合がInGaN系発光体に影響する量子効率低下の原因であり得ることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 第一原理 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *キャリア再結合 ,  発光スペクトル ,  密度汎関数法 ,  摂動論 ,  キャリア ,  キャリア密度 ,  *量子効率
準シソーラス用語： 自由キャリア

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 第一原理 ,  窒化物 ,  Auger再結合