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J-GLOBAL ID：200902284994309536   整理番号：07A0889107

水素バックグラウンドガス中のパルスレーザアブレーションによるナノスケールの微細構造けい素の生成

Formation of nanoscale fine-structured silicon by pulsed laser ablation in hydrogen background gas

著者 (6件)： UMEZU Ikurou (Konan Univ., Kobe, JPN) ,  SUGIMURA Akira (Konan Univ., Kobe, JPN) ,  INADA Mitsuru (Konan Univ., Kobe, JPN) ,  MAKINO Toshiharu (Konan Univ., Kobe, JPN) ,  MATSUMOTO Kimihisa (Konan Univ., Kobe, JPN) ,  TAKATA Masatoshi (Konan Univ., Kobe, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 76  号： 4  ページ： 045328.1-045328.10  発行年： 2007年07月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の方法で作製したSiナノ構造を,透過型電子顕微鏡観察,走...

シソーラス用語： レーザアブレーション ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素 ,  バックグラウンド ,  パルスレーザアブレーション ,  ナノスケール ,  微細構造 ,  けい素