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J-GLOBAL ID：200902285233690178   整理番号：08A1214932

ZnOナノロッド/In₂S₃/CuSCNベースの太陽電池の電流電圧特性と輸送メカニズム

Current-voltage characteristics and transport mechanism of solar cells based on ZnO nanorods/In₂S₃/CuSCN

著者 (7件)： DITTRICH T. (Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, DEU) ,  KIEVEN D. (Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, DEU) ,  RUSU M. (Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, DEU) ,  BELAIDI A. (Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, DEU) ,  TORNOW J. (Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, DEU) ,  SCHWARZBURG K. (Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, DEU) ,  LUX-STEINER M. (Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 5  ページ： 053113  発行年： 2008年08月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 暗および照明下での温度依存性の電流電圧特性を,ZnOナノロッド/In₂S₃/CuSCN構造をベースに,極めて薄い吸収層を持つ最大3.2%の効率の太陽電池について解析してきた。ダイオード理想因子と開放回路電池は熱活性化プロセスに強く依存する。中程度の温度にアニーリングすることによりデバイス効率の著しい増強が示された。このアニーリング後,飽和電流の活性化エネギーが1.00から1.46eV(暗で)に増加した。In₂S₃/CuSCN界面領域で輸送メカニズムを論じる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ナノロッド ,  化合物半導体 ,  インジウム化合物 ,  硫化物 ,  *銅化合物 ,  チオシアン酸塩 ,  *太陽電池 ,  *多層構造 ,  *電流電圧特性 ,  アニーリング【現象】 ,  因子
準シソーラス用語： *硫化インジウム ,  理想因子

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnOナノロッド ,  太陽電池 ,  電流電圧特性 ,  輸送 ,  メカニズム