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J-GLOBAL ID：200902285684241547   整理番号：08A0424501

光化学エッチングを用いた,p-GaNの表面ナノ構造加工と光電極特性

著者 (7件)： 臼井省吾 (電通大 量子・物質工) ,  木川定之 (電通大 量子・物質工) ,  小林直樹 (電通大 量子・物質工) ,  小林直樹 (21世紀COEプログラム“コヒーレント光科学の展開”) ,  山本淳 (日本イー・エム・シー) ,  伴雄三郎 (日本イー・エム・シー) ,  若尾清秀 (日本イー・エム・シー)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 1  ページ： 413  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  基板 ,  MOCVD ,  *表面構造 ,  ナノメータ加工 ,  エッチング ,  *光電極 ,  半導体-電解質接合 ,  半導体薄膜 ,  P型半導体 ,  化合物半導体 ,  サファイア基板 ,  *構造
準シソーラス用語： 光化学エッチング

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光化学 ,  エッチング ,  GaN ,  表面ナノ構造 ,  電極特性